单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Torex Semiconductor Ltd
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）30A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V170 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310 pF @ 10 V4550 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）6.2W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）SOT-89
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AON7421
AON7421
MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
123,380
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.32497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
30A（Ta），50A（Tc）
2.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
114 nC @ 10 V
±12V
4550 pF @ 10 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-89
XP162A12A6PR-G
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT89
Torex Semiconductor Ltd
8,189
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.82590
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
170 毫欧 @ 1.5A，4.5V
-
-
±12V
310 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。