单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedTexas Instruments
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）4.2A（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 25A，10V60 毫欧 @ 4.2A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
35 pF @ 18 V540 pF @ 30 V1480 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）2W（Ta）94W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3TO-220-3
封装/外壳
SC-74，SOT-457TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3306FTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
22,940
现货
357,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-TSOP
AO6420
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
212,970
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14937
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
TO-220-3
CSD18537NKCS
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Texas Instruments
2,175
现货
1 : ¥10.67000
管件
1,000 : ¥4.03980
管件
-
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
6V，10V
14 毫欧 @ 25A，10V
3.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。