单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）400mA（Ta）1.2A（Ta）6.5A（Ta），40A（Tc）34A（Tc）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.4mOhm @ 19A，10V26.5 毫欧 @ 20A，10V32 毫欧 @ 34A，10V250 毫欧 @ 1.8A，10V3 欧姆 @ 400mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.4V @ 43µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V120 pF @ 25 V166 pF @ 40 V1600 pF @ 50 V2200 pF @ 75 V2350 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）580mW（Ta），12.5W（Tc）625mW（Ta）800mW（Ta），142W（Tc）78W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DSOP AdvancePG-TDSON-8-1PG-TO252-3SOT-23-3SOT-89
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
200,575
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,552
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,668
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Infineon Technologies
7,987
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.79284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-89
BSS87,115
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Nexperia USA Inc.
209,234
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
1,000 : ¥0.91638
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
400mA（Ta）
10V
3 欧姆 @ 400mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
120 pF @ 25 V
-
580mW（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
8-DSOP Advance
TPW1500CNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Toshiba Semiconductor and Storage
7,771
现货
1 : ¥26.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.72292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
38A（Tc）
10V
15.4mOhm @ 19A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 75 V
-
800mW（Ta），142W（Tc）
150°C
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。