单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）4A（Ta）31.7A（Ta），109A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.65 毫欧 @ 15A，10V7 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 4A，4.5V130毫欧 @ 2，2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V61 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
616 pF @ 30 V2350 pF @ 6 V3030 pF @ 20 V11000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
710mW（Ta），8.3W（Tc）1W（Ta）4.8W（Ta），56.8W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-236ABTSMT3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS10ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Vishay Siliconix
26,629
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31.7A（Ta），109A（Tc）
4.5V，10V
2.65 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V，-16V
3030 pF @ 20 V
-
4.8W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO-236AB
PMV100EPAR
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,296
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
130毫欧 @ 2，2A，10V
3.2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
616 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RZR040P01TL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,623
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.25685
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
30 nC @ 4.5 V
±10V
2350 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ409EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,636
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.88051
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。