单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA(Ta)6.2A(Ta)7.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 4A,10V28 毫欧 @ 5A,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V18.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 15 V485 pF @ 10 V873 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)900mW(Ta)13.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 单SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
200,578
现货
5,859,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
632,360
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33879
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
PowerPak SC-70-6 Single
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
6,631
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.90591
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.8A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
485 pF @ 10 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。