单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Qorvo
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
515毫欧 @ 5A，12V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V22.5 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V739 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
786,393
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
UF3C120080B7S
UF3C120400B7S
SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Qorvo
896
现货
1 : ¥51.64000
剪切带（CT）
800 : ¥24.11630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
7.6A（Tc）
12V
515毫欧 @ 5A，12V
6V @ 10mA
22.5 nC @ 15 V
±25V
739 pF @ 800 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。