单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-FemtoFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA(Ta)3.2A(Ta)4.2A(Tj)6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 4A,10V35 毫欧 @ 900mA,8V3.5 欧姆 @ 220mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA1.5V @ 1mA1.8V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V18.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-12V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
38 pF @ 25 V533 pF @ 10 V873 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
340mW(Ta)400mW500mW(Ta)900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-WLCSP(0.78x0.78)SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-XFDFN4-XFBGA,WLCSPSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
200,736
现货
5,859,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,959
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65944
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
CSDxxxxxF5x
CSD25485F5
MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
14,923
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,8V
35 毫欧 @ 900mA,8V
1.3V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
-12V
533 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
WLCSP4
PMCM4402UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
7,008
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.72873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Tj)
2.5V,4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。