单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A（Tc）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V8.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
210 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12930 pF @ 25 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
142W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PPAK（5.1x5.71）PG-HDSOP-16-2
封装/外壳
8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,797
现货
1 : ¥55.58000
剪切带（CT）
1,800 : ¥31.53369
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
GSGP03150
GSFP6901
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Good-Ark Semiconductor
9,520
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.56980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
72A（Tc）
4.5V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
12930 pF @ 25 V
-
142W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PPAK（5.1x5.71）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。