单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA(Ta)3.5A(Ta)95A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.8 毫欧 @ 20A,10V42 毫欧 @ 3A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA2.4V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V83 nC @ 7.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V281 pF @ 10 V5400 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)500mW(Ta)104W(Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-323TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
441,346
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32700
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
69,011
现货
627,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54644
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.5A(Ta)
1.8V,10V
42 毫欧 @ 3A,10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,925
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.48623
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
95A(Tc)
7.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 250µA
83 nC @ 7.5 V
±20V
5400 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。