单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesPanjit International Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）3.3A（Ta）7.2A（Ta），23.6A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V2.6 毫欧 @ 50A，10V50 毫欧 @ 7A，10V72 毫欧 @ 4.2A，10V115 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA1.8V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 115µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V15.9 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V92 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
443 pF @ 15 V708 pF @ 15 V1377 pF @ 30 V4420 pF @ 15 V6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）700mW（Ta）1.9W（Ta）2.5W（Ta），156W（Tc）2.8W（Ta），108W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）PG-TDSON-8-6SOT-23-3SOT-323TO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
159,225
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
55,159
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC026N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
8,810
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.04173
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
92 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-252-2
DMPH6050SK3-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Diodes Incorporated
33,188
现货
320,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.2A（Ta），23.6A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1377 pF @ 30 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
22,027
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77479
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
2.5V，10V
115 毫欧 @ 1.5A，10V
1.3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
443 pF @ 15 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。