单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）8.5A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 10A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V47.5 nC @ 5 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V4234 pF @ 20 V5000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.3W（Ta）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerDI5060-8PowerPAK® SO-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,077
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
18,503
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.55890
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPak SO-8L
SQJ444EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,878
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.33254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。