单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）21A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 3A，10V184 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 10 V1836 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,581
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03234
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±20V
380 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
SIHB24N80AE-GE3
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Vishay Siliconix
579
现货
1 : ¥28.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
21A（Tc）
-
184 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
1836 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。