单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Renesas Electronics Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）4.7A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 50A，10V32 毫欧 @ 4.7A，4.5V170 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
418 pF @ 10 V490 pF @ 10 V15000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta）510mW（Ta），3.9W（Tc）1.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-263
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV28UNEAR
MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,274
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82473
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.7A（Ta）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
490 pF @ 10 V
-
510mW（Ta），3.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH205G2R
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
89,262
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
4.5V
170 毫欧 @ 2A，4.5V
950mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
418 pF @ 10 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
742
现货
1 : ¥42.53000
剪切带（CT）
800 : ¥25.68499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
300 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。