单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 17A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V3590 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）3W（Ta），136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-323TO-252AA
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
631,990
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-252
SQD50P04-13L_T4GE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,500
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.69466
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 17A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
3590 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。