单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®NexFET™U-MOSX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）1.5A（Ta）1.6A（Ta）100A（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V2.43mOhm @ 50A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V280 毫欧 @ 1.5A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 25µA3V @ 1mA3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V53 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V290 pF @ 25 V500 pF @ 10 V4230 pF @ 30 V8300 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）700mW（Ta）1.3W（Ta）3W（Ta），210W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-VSON-CLIP（5x6）Micro3™/SOT-23TO-236ABTSMT3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
438,783
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
31,954
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
9,801
现货
1 : ¥25.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.69459
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
TSMT3
RSR015P06HZGTL
MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
11,913
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.96146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4V，10V
280 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
27,921
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.59293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
2.43mOhm @ 50A，10V
3.5V @ 1mA
87 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 40 V
-
3W（Ta），210W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。