单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V125 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.1A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 20A，10V59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 50 V1410 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），20.2W（Tc）104W（Tc）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-WSON
CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Texas Instruments
701
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
250 : ¥6.51932
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.1A（Tc）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），20.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.43100
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
125 V
60A（Tc）
7.5V，10V
11.5 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1410 pF @ 75 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。