单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）2.2A（Ta）3.8A（Ta）38A（Ta），200A（Tc）52A（Ta），353A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.8 毫欧 @ 50A，10V1.4 毫欧 @ 50A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V117 毫欧 @ 2.2A，10V3.5 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 26µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.7V @ 250µA4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V6 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V70 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 25 V196 pF @ 30 V1008 pF @ 25 V4300 pF @ 20 V7288 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）615mW（Ta），7.5W（Tc）1.08W（Ta）3.8W（Ta），110W（Tc）3.9W（Ta），179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-SOT23SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
104,873
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV88ENEAR
MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,061
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76428
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
117 毫欧 @ 2.2A，10V
2.7V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
205,112
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79323
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C406NT1G
MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
onsemi
60
现货
1 : ¥37.85000
剪切带（CT）
1,500 : ¥19.55877
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
52A（Ta），353A（Tc）
10V
0.8 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 280µA
110 nC @ 10 V
±20V
7288 pF @ 20 V
-
3.9W（Ta），179W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
onsemi
0
现货
145,500
工厂
查看交期
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.29883
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
38A（Ta），200A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。