单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
900 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）35A（Tc）75A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23.4 毫欧 @ 42A，18V78 毫欧 @ 20A，15V90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 5mA4V @ 5mA4.8V @ 22.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 15 V51 nC @ 15 V170 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V+21V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 600 V1350 pF @ 1000 V4532 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
113W（Tc）113.6W（Tc）267W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7TO-263-7TO-263-7L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C3M0065090J
C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,446
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V，-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
4,270
现货
1 : ¥161.98000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
35A（Tc）
15V
78 毫欧 @ 20A，15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V，-8V
660 pF @ 600 V
-
113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DW7HRTL
SCT4018KW7TL
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
900
现货
1 : ¥303.35000
剪切带（CT）
1,000 : ¥194.51079
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
75A（Tj）
18V
23.4 毫欧 @ 42A，18V
4.8V @ 22.2mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4532 pF @ 800 V
-
267W
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。