单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorSTMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
50 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）1.5A（Tc）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
81 毫欧 @ 12A，18V10 欧姆 @ 100mA，5V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA4V @ 100µA4.8V @ 6.45mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 10 V64 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±20V+21V，-4V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V124 pF @ 100 V1498 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）60W（Tc）93W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
H2PAK-2SOT-23-3TO-263-7L
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
434,977
现货
12,939,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
H2PAK
STH2N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
STMicroelectronics
2,021
现货
1 : ¥36.29000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.74955
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
1.5A（Tc）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 100µA
5.3 nC @ 10 V
±30V
124 pF @ 100 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
406
现货
1 : ¥122.82000
剪切带（CT）
1,000 : ¥77.79315
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
24A（Tc）
18V
81 毫欧 @ 12A，18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V，-4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。