单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 15A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V5250 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8STO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
32,568
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO-236AB
2N7002HR
2N7002H/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
6,076
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30494
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。