单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Microchip TechnologyNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）袋
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）320mA（Tj）350mA（Tj）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V3 欧姆 @ 1A，10V3.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V65 pF @ 25 V150 pF @ 25 V4230 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta），1.5W（Tc）1W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）SOT-323TO-92-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
9,795
现货
1 : ¥25.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.79273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-323
NX6008NBKWX
NX6008NBKW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
49,298
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Microchip Technology
11,572
现货
1 : ¥6.65000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Tj）
5V，10V
3 欧姆 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
65 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
1,422
现货
1 : ¥9.11000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Tj）
5V，10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。