单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
39 毫欧 @ 15A， 10V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V19.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V1030 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta），1.3W（Tc）25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
62,469
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RB098BM-40FNSTL
RD3G01BATTL1
PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
582
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.78035
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Tc）
4.5V，10V
39 毫欧 @ 15A， 10V
2.5V @ 1mA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 20 V
-
25W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。