单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®ThunderFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）15.2A（Ta），28A（Tc）23A（Tc）30A（Ta）35A（Tc）47.9A（Ta），195A（Tc）50A（Tc）50.2A（Ta），177A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 150A，10V1.35 毫欧 @ 10A，10V1.7 毫欧 @ 20A，10V3 毫欧 @ 25A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V6.8 毫欧 @ 15.2A，10V10 毫欧 @ 16.1A，10V59 毫欧 @ 5A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V50 nC @ 4.5 V53 nC @ 10 V71 nC @ 10 V130 nC @ 10 V135 nC @ 10 V223 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+12V，-8V+16V，-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V1050 pF @ 50 V2230 pF @ 15 V3415 pF @ 10 V5125 pF @ 15 V5600 pF @ 15 V5915 pF @ 15 V10955 pF @ 15 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）2.5W（Ta），73W（Tc）4.2W（Ta），35.7W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）5.4W（Ta）6.35W（Ta），104W（Tc）57W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-HSOF-8-1PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
445,319
现货
13,821,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
29,807
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71757
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7336ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,815
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.40498
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5600 pF @ 15 V
-
5.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Vishay Siliconix
6,391
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.75413
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47.9A（Ta），195A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
+16V，-20V
10955 pF @ 15 V
-
6.35W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
7,715
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.49345
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
PowerPAK SO-8
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Vishay Siliconix
8,887
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.78256
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50.2A（Ta），177A（Tc）
2.5V，10V
1.35 毫欧 @ 10A，10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V，-8V
3415 pF @ 10 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7143DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,085
现货
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.52722
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 16.1A，10V
2.8V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
4.2W（Ta），35.7W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PQFN
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
onsemi
10,344
现货
48,000
工厂
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.2A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 15.2A，10V
3V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±25V
5915 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62176
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1050 pF @ 50 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。