单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-STripFET™ F7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tc)18A(Tc)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.3 毫欧 @ 25A,10V24 毫欧 @ 9A,10V29 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA2.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.5 nC @ 10 V21.2 nC @ 4.5 V55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1450 pF @ 50 V1875 pF @ 20 V3766 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)72W(Tc)101W(Tc)
供应商器件封装
LFPAK33PowerFlat™(5x6)PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
82,982
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.06267
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Tc)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
LFPAK33
BUK9M3R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,971
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.78929
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 25A,10V
2.15V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±16V
3766 pF @ 25 V
-
101W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
8 PowerVDFN
STL45N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,765
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.39192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 9A,10V
4.5V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 50 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。