单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IVU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）8.7A（Ta）10A（Ta）12.7A（Ta），18.3A（Tc）14A（Ta），52A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）24A（Ta），81.2A（Tc）30A（Tc）30A（Tj）35A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 20A，10V2.6 毫欧 @ 50A，10V4.2 毫欧 @ 10A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V11 毫欧 @ 10A，10V12.3 毫欧 @ 13.9A，10V14 毫欧 @ 10.5A，10V20 毫欧 @ 4A，10V36.6 毫欧 @ 10A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 4.5 V20.4 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V32 nC @ 10 V41 nC @ 10 V55 nC @ 5 V59 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V+16V，-20V+20V，-16V+20V，-25V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V530 pF @ 12.5 V1150 pF @ 15 V1155 pF @ 15 V1470 pF @ 50 V1620 pF @ 15 V1800 pF @ 15 V2000 pF @ 20 V2300 pF @ 20 V5660 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.25W（Ta）1.5W（Ta）2.3W（Ta），4.8W（Tc）2.5W（Ta），63W（Tc）3W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）4.1W（Ta），46.2W（Tc）4.8W（Ta），41.7W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）91W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）8-SOIC8-VSONP（5x6）LFPAK33PG-TDSON-8-6PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
195,444
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.61688
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
LFPAK33
PSMN040-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
13,411
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.07545
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tj）
10V
36.6 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
PowerPAK SO-8
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,561
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.03569
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5660 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4425FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
8,663
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.14223
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.7A（Ta），18.3A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
41 nC @ 10 V
+16V，-20V
1620 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），4.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
38,350
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4V，10V
20 毫欧 @ 4A，10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V，-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD16412Q5A
MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Texas Instruments
3,473
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48346
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
14A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
530 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Vishay Siliconix
14,147
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.31517
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），81.2A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
+20V，-16V
2000 pF @ 20 V
-
4.1W（Ta），46.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,598
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84826
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1155 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），41.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,063
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.70847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
23A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4401BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
11,106
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.62068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.7A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 10.5A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。