单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®SIPMOS®STripFET™ F6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）3A（Ta）5.8A（Tc）11A（Ta），55A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）12.5A（Ta），52.1A（Tc）13.5A（Ta），40A（Tc）18A（Ta），85A（Tc）21A（Ta），100A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）24A（Tc）42A（Tc）50A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 50A，10V3.5 毫欧 @ 50A，10V5 毫欧 @ 50A，10V6.6 毫欧 @ 50A，10V7.6 毫欧 @ 50A，10V8.6 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 50A，10V11.5 毫欧 @ 10A，10V12.3 毫欧 @ 33A，10V13.8 毫欧 @ 15A，10V16.5 毫欧 @ 12A，10V26 毫欧 @ 4.5A，10V35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 27µA2V @ 36µA2V @ 49µA2V @ 80µA2.2V @ 23µA2.3V @ 250µA2.4V @ 420µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.1V @ 105µA3.3V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.57 nC @ 10 V18.77 nC @ 10 V21 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26.5 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V34 nC @ 10 V37 nC @ 10 V45 nC @ 10 V47 nC @ 10 V50 nC @ 10 V57.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V759 pF @ 30 V957 pF @ 30 V960 pF @ 4 V1180 pF @ 15 V1500 pF @ 30 V1734 pF @ 20 V1870 pF @ 40 V2600 pF @ 20 V3500 pF @ 30 V3700 pF @ 20 V3780 pF @ 25 V4000 pF @ 30 V4785 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）960mW（Ta），1.7W（Tc）1.6W（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），46W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），57W（Tc）2.5W（Ta），66W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）3.6W（Ta），60W（Tc）4.1W（Ta），24W（Tc）34.7W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFN-EP（3x3）MLPAK33PG-SOT23PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6PG-TSDSON-8PowerFlat™（5x6）SOT-23-3（TO-236）SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
112,351
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
249,075
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16087
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
57,127
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
5.8A（Tc）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
22,005
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
6,245
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Infineon Technologies
29,184
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.79976
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 36µA
64 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
17,100
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
65,425
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
50,554
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.90897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 49µA
85 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
32,757
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56569
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC050N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Infineon Technologies
111,459
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.40137
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
18A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 27µA
47 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5,341
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.61942
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Infineon Technologies
12,020
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.34090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
64A（Tc）
6V，10V
6.6 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 20µA
21 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8 PowerVDFN
STL42P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,073
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.61144
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
37,876
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.52738
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
7.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 35µA
50 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS014P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
onsemi
2,599
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.61779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.5A（Ta），52.1A（Tc）
4.5V，10V
13.8 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 420µA
26.5 nC @ 10 V
±20V
1734 pF @ 20 V
-
3.6W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。