单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
EPCInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ G7eGaN®NexFET™OptiMOS™StrongIRFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V120 V150 V200 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A（Ta）17A（Ta），100A（Tc）30A（Tj）47A（Tc）48A（Ta）50A（Tc）52A（Tc）75A（Tc）90A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，10V3.2 毫欧 @ 75A，10V3.6 毫欧 @ 100A，10V3.7 毫欧 @ 50A，10V5.9 毫欧 @ 18A，10V7 毫欧 @ 50A，10V7.6 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 20A，5V9.4 毫欧 @ 24A，10V11 毫欧 @ 50A，10V19 毫欧 @ 50A，10V22 毫欧 @ 52A，10V22 毫欧 @ 10.3A，10V28 毫欧 @ 28.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 250µA2.5V @ 7mA3V @ 250µA3.5V @ 75µA3.7V @ 150µA3.8V @ 72µA4V @ 1.44mA4V @ 137µA4V @ 1mA4V @ 23µA4V @ 270µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 5 V27 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V33 nC @ 10 V36 nC @ 10 V43 nC @ 10 V50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V58 nC @ 10 V123 nC @ 10 V165 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1140 pF @ 100 V1300 pF @ 30 V1470 pF @ 50 V2420 pF @ 75 V2700 pF @ 30 V2750 pF @ 30 V3680 pF @ 100 V4000 pF @ 30 V4000 pF @ 50 V4200 pF @ 40 V4820 pF @ 400 V5070 pF @ 30 V6460 pF @ 25 V13800 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）2.5W（Ta），114W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3.2W（Ta），116W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）36W（Tc）91W（Tc）114W（Tc）125W（Tc）156W（Tc）214W（Tc）300W（Tc）391W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）LFPAK33PG-HSOF-8-2PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TO263-7PG-TSON-8-3PowerPAK® SO-8PQFN（5x6）模具
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
PSMN040-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
13,391
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.07534
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tj）
10V
36.6 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
8-Power TDFN
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
8,030
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.22079
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
8,266
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.34365
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 18A，10V
2.3V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Infineon Technologies
2,350
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.80199
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
47A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 24A，10V
2.3V @ 14µA
9.4 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,986
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.11847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 10.3A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
15,723
现货
1 : ¥16.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.05144
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
StrongIRFET Series
IRFH7085TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Infineon Technologies
5,803
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
4,000 : ¥7.35225
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
3.2 毫欧 @ 75A，10V
3.7V @ 150µA
165 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 25 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18532Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,651
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.19060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC037N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
11,954
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.70712
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3.7 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 72µA
58 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
12,577
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.28425
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
50A（Tc）
8V，10V
19 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,819
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.76949
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
22,640
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88410
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V，-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,433
现货
1 : ¥112.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥66.51140
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
75A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 28.8A，10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
8-Power TDFN
BSC076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
37,864
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.52722
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
7.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 35µA
50 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,948
现货
1 : ¥47.20000
剪切带（CT）
1,000 : ¥24.38545
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
180A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 270µA
211 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 60 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。