单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-AlphaSGT™OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）6.5A（Ta），40A（Tc）7A（Ta）7A（Ta），16A（Tc）7A（Ta），23A（Tc）11A（Ta），55A（Tc）11.4A（Ta），90A（Tc）12A（Ta），40A（Tc）17.5A（Ta），48A（Tc）36A（Tc）40A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 50A，10V8.2 毫欧 @ 20A，10V8.8 毫欧 @ 20A，10V9.8 毫欧 @ 30A，10V10 毫欧 @ 25A，10V12.3 毫欧 @ 33A，10V14.6 毫欧 @ 20A，10V19 毫欧 @ 7A，4.5V24 毫欧 @ 7A，10V26.5 毫欧 @ 20A，10V32 毫欧 @ 36A，10V34 毫欧 @ 12A，10V74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 23µA2.4V @ 43µA2.5V @ 250µA3.5V @ 12µA3.5V @ 33µA3.5V @ 75µA3.8V @ 36µA4V @ 110µA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V25 nC @ 10 V28 nC @ 10 V29 nC @ 10 V44 nC @ 10 V50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
744 pF @ 20 V756 pF @ 40 V923 pF @ 50 V1220 pF @ 10 V1300 pF @ 50 V1600 pF @ 50 V1700 pF @ 15 V1870 pF @ 40 V2100 pF @ 50 V2350 pF @ 100 V2500 pF @ 50 V2900 pF @ 50 V4000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta）610mW（Ta），8.3W（Tc）2.1W（Ta），35W（Tc）2.5W（Ta），32W（Tc）2.5W（Ta），66W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），73W（Tc）5W（Ta），56.5W（Tc）52W（Tc）78W（Tc）114W（Tc）125W（Tc）156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLTO-236AB
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
254,276
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,668
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.71288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
90,745
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.62614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7A（Ta），23A（Tc）
6V，10V
34 毫欧 @ 12A，10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-DFN
AONS66920
MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
112,004
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.04333
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17.5A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
5W（Ta），56.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
TSDSON-8
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Infineon Technologies
23,022
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.77208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 23µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
65,425
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
15,823
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.05170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Infineon Technologies
16,076
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.49322
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.4A（Ta），90A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 110µA
44 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 50 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
onsemi
11,600
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.92184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），16A（Tc）
6V，10V
24 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
923 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
20,164
现货
1 : ¥24.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.56146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
36A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV15UNEAR
MOSFET N-CH 20V 7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,352
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7A（Ta）
1.8V，4.5V
19 毫欧 @ 7A，4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1220 pF @ 10 V
-
610mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Infineon Technologies
13,564
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.36818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
6V，10V
9.8 毫欧 @ 30A，10V
3.8V @ 36µA
28 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ088N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
435
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.54888
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
8.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。