单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
136A（Tc）255A（Tc）260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.29 毫欧 @ 50A，10V2.2 毫欧 @ 25A，10V2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V91 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6100 pF @ 30 V8100 pF @ 30 V17200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），170W（Tc）960mW（Ta），170W（Tc）341W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C175°C
供应商器件封装
8-DSOP Advance8-SOP Advance（5x5.75）LFPAK88（SOT1235）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSOT-1235
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,595
现货
1 : ¥29.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.85177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260A（Tc）
4.5V，10V
1.29 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN2R3-100SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
962
现货
1 : ¥46.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.60303
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
255A（Tc）
10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
160 nC @ 10 V
±20V
17200 pF @ 50 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
12,281
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.19270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
136A（Tc）
6.5V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 30 V
-
800mW（Ta），170W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。