单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）1A（Ta）36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 18A，4.5V510 毫欧 @ 1A，4.5V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V65 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V122 pF @ 15 V4300 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）350mW（Ta），6.25W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）SOT-323SOT-883
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-101，SOT-883SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,811
现货
252,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
5,901
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.37342
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
36A（Tc）
2.5V，4.5V
4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
1.2V @ 1mA
65 nC @ 5 V
±12V
4300 pF @ 10 V
-
42W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
SC-101 SOT-883
PMZ320UPEYL
MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
33,786
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.49214
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
1.5V，4.5V
510 毫欧 @ 1A，4.5V
950mV @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
122 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。