单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）35A（Ta）100A（Ta）100A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V3.5 毫欧 @ 50A，10V4.8 毫欧 @ 16A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.3V @ 250µA3.8V @ 115µA3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V53 nC @ 10 V87 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V2310 pF @ 15 V4230 pF @ 30 V6500 pF @ 50 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）2.5W（Ta），156W（Tc）2.8W（Ta），53W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-7SOT-323
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,077
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-Power TDFN
BSC035N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,399
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.49586
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18540Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
1,740
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
250 : ¥15.56492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
21,745
现货
1 : ¥49.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53269
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-VSONP
CSD17577Q3A
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Texas Instruments
18,640
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96138
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 16A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。