单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V25 V30 V40 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）360mA（Ta）1A（Tj）3.3A（Ta）3.6A（Ta）4.5A（Ta），6A（Tc）8.6A（Ta）11A（Ta），20A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）35A（Tc）46A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 24A，10V9.4 毫欧 @ 24A，10V9.9 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 20A，10V11.7 毫欧 @ 15A，10V14.5 毫欧 @ 14.4A，10V33 毫欧 @ 4.4A，10V43 毫欧 @ 2A，4.5V57 毫欧 @ 4A，10V800 毫欧 @ 1A，10V1.25 欧姆 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 270mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.9V @ 250µA2.2V @ 23µA2.2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V3.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 10 V9.4 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V23.2 nC @ 10 V45 nC @ 10 V135 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±5V±12V+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V45.8 pF @ 25 V388 pF @ 40 V710 pF @ 4 V1300 pF @ 30 V1382 pF @ 20 V1780 pF @ 12.5 V3500 pF @ 30 V4370 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）320mW（Ta）700mW（Ta）770mW780mW（Ta），1.8W（Tc）1.9W（Ta）1.9W（Ta），10W（Tc）2.1W（Ta），50W（Tc）3.1W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）36W（Tc）
供应商器件封装
4-Microfoot8-VSONP（5x6）PG-TDSON-8-6PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8SC-75ASOT-23SOT-323U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
4-UFBGA，WLCSP6-PowerUDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
46,131
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90097
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tj）
-
800 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
388 pF @ 40 V
-
770mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
20,251
现货
339,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43357
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.3A（Ta）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
Pkg 5868
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
26,510
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
1.25 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
8-TSDSON
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
95,660
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.28803
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,524
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.97945
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
47,837
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Tc）
4.5V，10V
11.7 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Infineon Technologies
2,940
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.80212
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
47A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 24A，10V
2.3V @ 14µA
9.4 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,968
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.54468
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
132,645
现货
165,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
360mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 270mA，10V
1.5V @ 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
4-xFBGA
SI8466EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
3,735
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
3.6A（Ta）
1.2V，4.5V
43 毫欧 @ 2A，4.5V
700mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±5V
710 pF @ 4 V
-
780mW（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-UFBGA，WLCSP
PowerPAK SC-75-6L Single
SIB4316EDK-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
8,950
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta），6A（Tc）
2.5V，10V
57 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.9W（Ta），10W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
8-Power TDFN
CSD16413Q5A
MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Texas Instruments
2,488
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.58396
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.9 毫欧 @ 24A，10V
1.9V @ 250µA
11.7 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
1780 pF @ 12.5 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。