单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）320mA（Ta）500mA（Ta）17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）35A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 25A，10V3.7 毫欧 @ 10A，10V4.4 毫欧 @ 20A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V5.5 毫欧 @ 15A，10V5.9 毫欧 @ 50A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V9.4 nC @ 10 V51 nC @ 10 V111 nC @ 10 V147 nC @ 10 V183 nC @ 10 V413 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V33 pF @ 5 V50 pF @ 10 V830 pF @ 20 V2425 pF @ 15 V4380 pF @ 15 V4590 pF @ 15 V5590 pF @ 10 V15660 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）330mW（Ta）690mW（Ta）3W（Ta），38W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）5W（Ta），40W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）65.8W（Tc）69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SC-70-3（SOT323）SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,176
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
270,761
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51311
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-70-3
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
48,402
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
44,644
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
35A（Tc）
2.5V，10V
4.4 毫欧 @ 20A，10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
37,714
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.40955
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 20 V
-
3W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,739
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±25V
4590 pF @ 15 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
52,147
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.16090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
413 nC @ 10 V
±20V
15660 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,432
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.39552
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
+20V，-16V
2425 pF @ 15 V
-
5W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR167DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,184
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.43854
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±25V
4380 pF @ 15 V
-
65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。