单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）2.7A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3.3V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 5A，4.5V60 毫欧 @ 3.1A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V55 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V278 pF @ 15 V5500 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）490mW（Ta）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
HUML2020L8SOT-323
封装/外壳
8-PowerUDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,077
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,453
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.53035
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
3.3V，10V
60 毫欧 @ 3.1A，10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
RF4P025ATTCR
RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
2,150
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.17057
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
55 nC @ 4.5 V
-8V
5500 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
HUML2020L8
8-PowerUDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。