单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）1.3A（Ta）14A（Ta）100A（Tc）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.7V，4.5V4V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.9 毫欧 @ 100A，10V5.2 毫欧 @ 25A，10V84 毫欧 @ 14A，10V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V396 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 8 V5 nC @ 4.5 V27 nC @ 10 V39.4 nC @ 5 V214 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
43 pF @ 10 V162 pF @ 10 V1900 pF @ 10 V6319 pF @ 25 V14920 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）500mW（Ta）20W（Tc）195W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8SC-75ASOT-23-3TO-220SM（W）TO-252
封装/外壳
SC-100，SOT-669SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
145,402
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y6R0-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,453
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.00295
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V
5.2 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
39.4 nC @ 5 V
±10V
6319 pF @ 25 V
-
195W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
Pkg 5868
SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
Vishay Siliconix
83,924
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.5V，4.5V
396 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
RB098BM-40FNSTL
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Rohm Semiconductor
7,787
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.24045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta）
4V，10V
84 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
910
现货
1 : ¥36.29000
剪切带（CT）
1,000 : ¥13.13569
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
200A（Ta）
6V，10V
0.9 毫欧 @ 100A，10V
3V @ 1mA
214 nC @ 10 V
±20V
14920 pF @ 10 V
-
375W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-220SM（W）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。