单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®U-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA（Ta）1.8A（Ta）2A（Ta）2A（Tc）2.1A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V1.8V，4.5V1.8V，8V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
33 毫欧 @ 4A，4.5V42 毫欧 @ 5A，10V55 毫欧 @ 4A，4.5V56 毫欧 @ 2A，4.5V71 毫欧 @ 3A，10V95 毫欧 @ 2A，10V98 毫欧 @ 3A，10V120 毫欧 @ 1.5A，10V150 毫欧 @ 1A，4.5V185 毫欧 @ 1A，8V195 毫欧 @ 1A，8V240 毫欧 @ 2A，4.5V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 1mA2V @ 100µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82 nC @ 10 V1.1 nC @ 4.2 V1.7 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.2 V2.2 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V4.6 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±8V+12V，-6V+12V，-8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V126 pF @ 15 V130 pF @ 10 V170 pF @ 20 V190 pF @ 30 V200 pF @ 10 V270 pF @ 10 V280 pF @ 15 V330 pF @ 25 V410 pF @ 10 V510 pF @ 25 V560 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）460mW（Ta），5W（Tc）500mW（Ta）600mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）2W（Ta）3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFN（2x2）ES6Micro3™/SOT-23S-MiniSOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-323TO-236AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线SOT-563，SOT-666TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
153,542
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4V，10V
71 毫欧 @ 3A，10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
150,812
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V，-6V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
94,973
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
66,773
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02903
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
98 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,185
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Tc）
1.5V，4.5V
240 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
320,010
现货
160,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18667
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
25,404
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60956
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V，-8V
200 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
10,303
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
55 毫欧 @ 4A，4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-236AB
PMV130ENEAR
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
22,720
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 20 V
-
460mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
24,372
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
33 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
12,921
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
1.7 nC @ 4.5 V
±20V
126 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
1,321
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.84355
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.8A（Ta）
1.8V，8V
195 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563，SOT-666
18,506
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84303
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
270 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
39,267
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89040
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
2.2 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。