单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
MDmesh™ M2-EPTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
132 毫欧 @ 1.4A，10V418 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
105 pF @ 15 V590 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），500mW（Tc）55W（Tc）
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）HVSC-70-3
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,265
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
8PowerVDFN
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
2,900
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.95551
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
418 毫欧 @ 4.5A，10V
4.75V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。