单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronics
系列
-AlphaSGT™PowerTrench®STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta），12A（Tc）4A（Ta），14A（Tc）5A（Ta），32A（Tc）6A（Tc）6.8A（Tc）7.5A（Tc）12A（Tc）19.5A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 20A，10V37 毫欧 @ 10A，10V60 毫欧 @ 12A，10V68 毫欧 @ 5A，10V140 毫欧 @ 5A，10V160 毫欧 @ 3.4A，10V220 毫欧 @ 2A，10V250 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA2.8V @ 250µA2.9V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.61 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 10 V14 nC @ 10 V44 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 50 V280 pF @ 25 V384 pF @ 25 V390 pF @ 50 V540 pF @ 30 V1167 pF @ 25 V2000 pF @ 50 V2500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），20W（Tc）2.5W（Ta），100W（Tc）2.5W（Ta），30W（Tc）6.2W（Ta），89W（Tc）14.9W（Tc）18.7W（Tc）30W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKTO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
137,708
现货
237,500
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.61631
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD444
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
123,818
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.67276
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD66920
MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
108,827
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.98176
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.5A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
6.2W（Ta），89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
onsemi
4,196
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.32083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.8A（Tc）
5V，10V
160 毫欧 @ 3.4A，10V
2.8V @ 250µA
3.61 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 50 V
-
14.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6NF10T4
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STMicroelectronics
564
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.50871
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMN10H220LK3-13
MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Diodes Incorporated
6,092
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.17604
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.5A（Tc）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
384 pF @ 25 V
-
18.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
98,521
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.07868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
37 毫欧 @ 10A，10V
2.7V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.83148
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 5A，10V
2.9V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。