单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A(Ta)50A63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,2.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 20A,10V12 毫欧 @ 25A,10V57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 11µA2V @ 1mA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.7 nC @ 2.5 V31 nC @ 5 V111.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±15V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
529 pF @ 10 V2317 pF @ 25 V6464 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)83W107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
DFN5060DPAKPG-SOT23
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
526,760
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54182
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,2.5V
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN5060
MCAC50P03B-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
7,549
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.95466
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
111.7 nC @ 10 V
±25V
6464 pF @ 15 V
-
83W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
DPAK SOT428
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
10,000 : ¥4.26393
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
63A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±15V
2317 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。