单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）4A（Ta），12A（Tc）11A（Tc）12A（Ta）14A（Tc）17A（Tc）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 12A，10V65 毫欧 @ 10A，10V70 毫欧 @ 8A，10V94 毫欧 @ 6A，10V100 毫欧 @ 14A，5V104 毫欧 @ 6A，5V107 毫欧 @ 8A，5V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.5 nC @ 5 V10 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V15 nC @ 5 V20 nC @ 5 V20 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±15V±16V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V350 pF @ 25 V370 pF @ 25 V440 pF @ 25 V450 pF @ 25 V480 pF @ 25 V540 pF @ 30 V670 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.5W（Ta），48W（Tj）2.1W（Ta），20W（Tc）38W（Tc）40W（Tc）45W（Tc）48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKIPAK（TO-251AA）SOT-23-3TO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
435,323
现货
13,269,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33718
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252, (D-Pak)
AOD444
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
123,818
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.67278
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
onsemi
21,604
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.37620
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Tc）
5V
107 毫欧 @ 8A，5V
3V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
36,603
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.44237
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
14A（Tc）
5V
100 毫欧 @ 14A，5V
2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±10V
670 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPAK (TO-251)
IRLU024NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Infineon Technologies
5,360
现货
1 : ¥6.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
4V，10V
65 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
DPAK_369C
NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
3,823
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.48384
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
5V
104 毫欧 @ 6A，5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta），48W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK_369C
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
8,562
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.91976
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
94 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta），48W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
21,000
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.01128
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Tc）
5V，10V
70 毫欧 @ 8A，10V
1V @ 250µA
7.5 nC @ 5 V
±18V
370 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。