单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV-HMDmesh™ M2-EPU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
75 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Ta）34A（Tc）150A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V87 毫欧 @ 17A，10V135 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.2mA4V @ 1mA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V55 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2370 pF @ 100 V2400 pF @ 300 V6000 pF @ 37.5 V
功率耗散（最大值）
142W（Tc）180W（Tc）250W（Tc）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
4-DFN-EP（8x8）8-SOP Advance（5x5）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
113,914
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.51539
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
D2Pak
STB42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥25.52116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
34A（Tc）
10V
87 毫欧 @ 17A，10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
2,500 : ¥18.51311
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Ta）
10V
135 毫欧 @ 7.5A，10V
3.5V @ 1.2mA
40 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W（Tc）
150°C
表面贴装型
4-DFN-EP（8x8）
4-VSFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。