单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
FemtoFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 1.8A，4.5V175 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.14 nC @ 6 V6.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
236 pF @ 6 V330 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.1W（Tc）500mW（Ta）
供应商器件封装
3-PICOSTARTO-236AB
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NXV75UPR
NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
17,756
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50783
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 1.8A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 10 V
-
340mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSDxxxxF4T
CSD23381F4T
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
3,566
现货
1,000
市场
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
250 : ¥4.33640
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.3A（Ta）
1.8V，4.5V
175 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.2V @ 250µA
1.14 nC @ 6 V
-8V
236 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。