单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7OptiMOS™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
150 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.8A(Tc)20A(Tc)20.2A(Tc)32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
7.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 16A,10V58 毫欧 @ 10A,10V160毫欧 @ 6.3A,10V190 毫欧 @ 7.6A,10V190 毫欧 @ 9.5A,10V280 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 630µA4V @ 350µA4.2V @ 250µA4.5V @ 430µA4.5V @ 630µ4.6V @ 32µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V25.5 nC @ 10 V31 nC @ 10 V37 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
420 pF @ 75 V950 pF @ 75 V1190 pF @ 100 V1317 pF @ 400 V1400 pF @ 100 V1750 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
34W(Tc)52W(Tc)62.5W(Tc)81W(Tc)104W(Tc)151W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8S
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8STO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Infineon Technologies
11,909
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.04851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
32A(Tc)
8V,10V
30 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 32µA
13 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 75 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Vishay Siliconix
5,290
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.34798
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20.2A(Tc)
7.5V,10V
58 毫欧 @ 10A,10V
4.2V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 75 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PG-TO-220-FP
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
116
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
37 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Infineon Technologies
252
现货
1 : ¥22.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13.8A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 430µA
25.5 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Infineon Technologies
163
现货
1 : ¥31.94000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-220AB Pkg
IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥22.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
160毫欧 @ 6.3A,10V
4V @ 350µA
31 nC @ 10 V
±20V
1317 pF @ 400 V
-
81W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
显示
/ 6

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。