单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）1A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V254 毫欧 @ 900mA，4.5V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V81 pF @ 15 V594.3 pF @ 10 V808 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta），1.5W（Tc）342mW（Ta）800mW（Ta）1.4W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
387,047
现货
2,330,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
NX6008NBKWX
NX6008NBKW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
50,174
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
112,436
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47672
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
2.5V，4.5V
254 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.25V @ 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
24,496
现货
3,738,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。