单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）850mA（Ta）1A（Ta）8.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V270 毫欧 @ 1A，4.5V400 毫欧 @ 500mA，4.5V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）1.25V @ 250µA2.4V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V79.3 pF @ 15 V83 pF @ 24 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）330mW（Ta），2.1W（Tc）540mW（Ta）1.9W（Ta）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
36,434
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
9,079
现货
981,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
36,160
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.54468
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-236AB
BSH103BKR
BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Nexperia USA Inc.
18,070
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
270 毫欧 @ 1A，4.5V
1.25V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±12V
79.3 pF @ 15 V
-
330mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。