单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-SuperMESH™U-MOSVIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V150 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）1.3A（Ta）1.5A（Ta）3A（Ta）3.1A（Ta）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.4mOhm @ 19A，10V53 毫欧 @ 4A，10V103 毫欧 @ 1A，4.5V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V240 毫欧 @ 1.3A，10V16 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
160 pF @ 25 V162 pF @ 10 V270 pF @ 10 V450 pF @ 20 V540 pF @ 15 V2200 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta），6.25W（Tc）500mW（Ta）750mW（Ta）1.6W（Ta），78W（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）DPAKSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABUFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
154,357
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
12,408
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.57037
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
38A（Tc）
10V
15.4mOhm @ 19A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 75 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,547
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68032
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
STMicroelectronics
2,467
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65133
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
1A（Tc）
10V
16 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 50µA
7.7 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
7,346
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
103 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
270 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
SOT-23(TO-236)
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,967
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89529
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.1A（Ta）
4.5V，10V
53 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。