单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）250mA（Ta）300mA（Ta）330mA（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V2.5V，4.5V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 3A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 10 V17 pF @ 16 V30 pF @ 25 V42 pF @ 10 V405 pF @ 10 V476 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）430mW1W（Ta）1.5W（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3VESMVMT3X2-DFN0606-3
封装/外壳
3-XFDFNSOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
235,280
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.32297
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
DMG2301L-13
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
5,147
现货
450,000
工厂
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33100
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN0606-3
DMP22D5UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
Diodes Incorporated
9,963
现货
240,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.17856
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.3 nC @ 4.5 V
±8V
17 pF @ 16 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
72,761
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19452
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
10V，5V
-
2.5V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BAT54
GSF2301
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Good-Ark Semiconductor
10,939
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36235
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
110 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 2.5 V
±12V
405 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
查看交期
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.28986
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
VESM
SOT-723
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。