单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Good-Ark Semiconductoronsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）220mA（Tj）320mA（Ta）4.5A5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 5A，4.5V55 毫欧 @ 3.6A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V4 nC @ 4.5 V17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V30 pF @ 5 V30 pF @ 25 V300 pF @ 10 V1450 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW300mW（Ta）430mW1.3W1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3（TO-236）SOT-23-6L
封装/外壳
SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
227,759
现货
363,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49897
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
35,337
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V，10V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BAT54
BSS138
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Good-Ark Semiconductor
49,540
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.25373
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Tj）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
SSF2300
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
11,865
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 10 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSF3714
SSF2429
MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,
Good-Ark Semiconductor
14,465
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73133
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17 nC @ 5 V
±12V
1450 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。