单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
265mA（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 3A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.49 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.2 pF @ 30 V160 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）460mW（Ta）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSN20BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
129,680
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50249
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
265mA（Ta）
10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
1.4V @ 250µA
0.49 nC @ 4.5 V
±20V
20.2 pF @ 30 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV90ENER
MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,083
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72008
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
72 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 15 V
-
460mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。