单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）270mA（Ta）25.3A（Tc）28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.2 毫欧 @ 12A，10V129 毫欧 @ 14A，10V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V167 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V50 pF @ 25 V2250 pF @ 25 V6630 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）270mW（Ta），1.3W（Tc）6W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
74,035
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98621
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
onsemi
3,891
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
800 : ¥9.66024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
28A（Tc）
10V
129 毫欧 @ 14A，10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
62,469
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.34539
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.3A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
167 nC @ 10 V
±25V
6630 pF @ 15 V
-
6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。